O IRGIB7B60KDPBF é um transistor IGBT de alta potência, projetado para oferecer eficiência e desempenho em aplicações que exigem controle preciso de energia. Com uma construção robusta, este transistor é ideal para circuitos que operam em alta tensão e corrente.
- Modelo: IRGIB7B60KDPBF;
- Tipo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor);
- Tensão de Coletor (Vce): 600V;
- Corrente de Coletor (Ic): 60A;
- Temperatura de Operação: -40°C a +150°C;
- Resistência de Condução (Rds(on)): Aproximadamente 0.3O (verificar especificações do fabricante);
- Encapsulamento: TO-247 ou similar (verificar especificações exatas).